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参数资料
| 型号： | MMBT2369A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | MMBT2369A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD330WS | 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4148CA | 0.2 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4148TGT/R | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4448H-13 | 0.25 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4448HSDW | 0.25 A, 80 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT2369A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| MMBT2369A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 |
| MMBT2369A_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2369AL | 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-23 |
| MMBT2369ALT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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