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参数资料
| 型号： | MMBT2484D87Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | MMBT2484D87Z |
PN2484
/
MMBT2484
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
*Pulse Test: Pulse Width ≤300s, Duty Cycle ≤3.0%
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 10
A, I
B = 0
60
V
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage*
IC = 10 mA, IE = 0
60
V
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IC = 10
A, I
E = 0
5.0
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 45 V, IE = 0
VCB = 45 V, IE = 0, TA = 150
°C
10
nA
A
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 5.0 V, IC = 0
10
nA
Cobo
Output Capacitance
VCB =5.0 V, f = 140 kHz
6.0
pF
Cibo
Input Capacitance
VEB = 0.5 V, f = 140 kHz
6.0
pF
NF
Noise Figure
IC = 10
A, V
CE = 5.0 V,
RS = 10k,f = 1.0 kHz,BW =200 Hz
3.0
dB
hFE
DC Current Gain
IC = 1.0 mA, VCE = 5.0 V
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V*
250
800
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 1.0 mA, IB = 0.1 mA
0.35
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 1.0 mA, VCE = 5.0 V
0.95
V
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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