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参数资料
| 型号： | MMBT2484L |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | CASE 318-07, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | MMBT2484L |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6428L | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA13L | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA42L | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT5551L | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT6517L | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT2484LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2484LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2484LT3G | 功能描述:两极晶体管 - BJT SS LN XSTR NPN 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT28S | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
| MMBT2907 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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