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参数资料
| 型号： | MMBT3904S62Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | MMBT3904S62Z |
2N3904
/
MMBT3904
/
PZT3904
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
2N3904
*PZT3904
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
625
5.0
1,000
8.0
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
125
°C/W
Symbol
Characteristic
Max
Units
**MMBT3904
MMPQ3904
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
350
2.8
1,000
8.0
mW
mW/
°C
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Effective 4 Die
Each Die
357
125
240
°C/W
Typical Characteristics
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE-
EMI
T
E
R
ON
VOL
T
A
GE
(V
)
BE
(O
N)
C
V
= 5V
CE
25 °C
125 °C
- 40 °C
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
1
10
100
0
100
200
300
400
500
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
T
Y
PI
CAL
P
U
L
SED
CURRE
N
T
G
A
IN
FE
- 40 C
25 °C
C
V
= 5V
CE
125 °C
*Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.
**Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE-
EM
ITT
E
R
VOL
T
A
G
E
(
V
)
BESA
T
C
β = 10
25 °C
125 °C
- 40 °C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0.05
0.1
0.15
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-CO
LL
EC
T
O
R-
E
M
ITTE
R
VO
L
T
A
G
E
(V
)
CESA
T
25 °C
C
β = 10
125 °C
- 40 °C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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