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参数资料
| 型号： | MMBT3906S62Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | MMBT3906S62Z |
2N3906
/
MMBT3906
/
PZT3906
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose amplifier and switching
applications at collector currents of 10
A to 100 mA. Sourced
from Process 66.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
2N3906
PZT3906
MMBT3906
Symbol
Parameter
Value
Units
VCEO
Collector-Emitter Voltage
40
V
VCBO
Collector-Base Voltage
40
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5.0
V
IC
Collector Current - Continuous
200
mA
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
C
B
E
TO-92
B
C
SOT-223
E
C
B
E
SOT-23
Mark: 2A
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3906LT3 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906RF | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906RFG | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906T/R13 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT3906SL | 功能描述:两极晶体管 - BJT 40V 200mA PNP Epitaxial Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906SL_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| MMBT3906T | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906-T/R | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:TRANSISTOR PNP SO |
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