型号: | MMBT4124S62Z |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 92K |
代理商: | MMBT4124S62Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MMBT4126S62Z | 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT4126 | 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT4258-HIGH | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA |
MMBT4258/S62Z | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBT4258/L99Z | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MMBT4125LT1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |
MMBT4126 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT4126_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT4126-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT -25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT4126-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT -25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |