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参数资料
| 型号： | MMBT4403D87Z |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | MMBT4403D87Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2907L99Z | PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT4403T/R7 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403T/R13 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403W | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT4403E9 | 制造商:GENERAL INSTRUMENTS 功能描述: |
| MMBT4403-G | 功能描述:射频双极电源晶体管 VCEO=-40V IC=-600mA. RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MMBT4403-GS08 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403K | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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