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参数资料
| 型号： | MMBT4403L-AE3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | MMBT4403L-AE3-R |
MMBT4403
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
4 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R206-034.F
TYPICAL CHARACTERISTICS
DC
Current
Gain,
h
FE
Co
lle
cto
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rVo
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e,
V
C
E
(SAT)
(V)
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Base-Emi
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Ambient Temperature, TA (℃)
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
C
ol
le
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C
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n
t,I
C
B
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(n
A
)
-100
-0.01
75
25
50
100
125
-10
-0.1
-1
VCB=-35V
-0.1
-1
-10
-50
12
4
Reverse Bias Voltage (V)
Input and Output
Capacitance vs. Reverse Bias Voltage
Ca
pa
citance
(p
F)
8
16
20
Cib
Cob
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT4403G-AL3-R | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBT4403LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403LT1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT4403LT1S | 制造商:Motorola 功能描述:4403 MOT'93 T/R 制造商:Motorola Inc 功能描述:Transistor |
| MMBT4403LT3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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