参数资料
型号: MMBT4403L99Z
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: SO-3
文件页数: 4/7页
文件大小: 69K
代理商: MMBT4403L99Z
Typical Characteristics (continued)
Switching Times
vs Collector Current
10
100
1000
0
50
100
150
200
250
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
TI
M
E
(n
S
)
I
= I
=
t r
t s
B1
C
B2
I c
10
V
= 15 V
cc
t f
t d
Turn On and Turn Off Times
vs Collector Current
10
100
1000
0
100
200
300
400
500
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
TI
M
E
(n
S
)
I
= I
=
t on
t off
B1
C
B2
I c
10
V
= 15 V
cc
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
TEMPERATURE ( C)
P
-
P
O
W
E
R
D
ISS
IP
A
T
IO
N
(
W
)
D
o
SOT-223
TO-92
SOT-23
Rise Time vs Collector
and Turn On Base Currents
10
100
500
1
2
5
10
20
50
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
I
-
TU
RN
0
N
BA
S
E
CU
RR
ENT
(m
A
)
30 ns
C
t
= 15 V
r
B1
60 ns
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
2N4403
/
MMBT4403
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MMBT4403LT1G 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4403LT1H 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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MMBT4403LT3 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2