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参数资料
| 型号： | MMBT4403WT/R13 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 267K |
| 代理商： | MMBT4403WT/R13 |
MMBT4403W
FEATURES
PNP epitaxial silicon, planar design
Collector-emitter voltage VCE = -40V
Collector current IC =-600mA
Complimentary (NPN) device: MMBT4401W
MECHANICAL DATA
Case: SOT-323
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx Weight: 0.005gram
Marking: M3W
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector - Emitter Voltage
VCE0
-40
V
Collector - Base Voltage
VCB0
-40
V
Emitter – Base Voltage
VEB0
-5.0
V
Collector Current - Continuous
IC
-600
mA
Max Power Dissipation (Note 1)
PTOT
200
mW
Junction and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Thermal Resistance , Junction to Ambient (Note 1)
RθJ A
625
℃
/W
Note 1: Transistor mounted on FR-4 board 70 x 60 x 1mm. using minimum recommended pad.
PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
VOLTAGE
POWER
40V
200mW
2
Emitter
Top View
3
Collector
1
Base
2
Emitter
Top View
3
Collector
1
Base
BASE
3
COLLECTOR
EMITTER
2
1
BASE
3
COLLECTOR
EMITTER
BASE
3
COLLECTOR
EMITTER
2
1
.087(2.2)
.054(1.35)
.056(1.40)
.006(.15)
.016(.40)
.087(2.2)
.044(1.1)
.004(.10)MIN.
.070(1.8)
.045(1.15)
.047(1.20)
.004(.10)MAX.
.002(.05)
.0
08(.20)
.078(2.0)
.035(0.9)
SOT-323
Unit: inch (mm)
PAGE . 1
REV.0.1-MAR.5.2009
PAGE . 1
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT4403 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT4403/E9 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT4403 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT451-TP | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT451 | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT489LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT489LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5087 | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5087_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5087LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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