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参数资料
型号： MMBT5343-Y-TP
厂商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件页数： 1/3页
文件大小： 319K
代理商： MMBT5343-Y-TP
NPN Silicon
Transistors
Features
x
Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)=0.25V(Max.)
x
Low Output Capacitance: Cob=2.0pF(Typ.)
x
Marking : 5343
VCEO
Collector-Emitter Voltage
50
V
VCBO
Collector-Base Voltage
60
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5.0
V
IC
Collector Current
150
mA
PC
Collector power dissipation
200
mW
TJ
Junction Temperature
150
OC
TSTG
Storage Temperature
-55 to +150
OC
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=100uAdc, IB=0)
60
---
Vdc
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC=10mAdc, IB=0)
50
---
Vdc
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE=10uAdc, IC=0)
5.0
---
Vdc
ICBO
Collector-Base Cutoff Current
(VCB=60Vdc,IE=0)
---
0.1
uAdc
IEBO
Emitter-Base Cutoff Current
(VEB=5.0Vdc, IC=0)
---
0.1
uAdc
ON CHARACTERISTICS
hFE
Forward Current Transfer ratio*
(IC=2.0Adc, VCE=6.0Vdc)
70
---
700
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=100mAdc, IB=10mAdc)
---
0.25
Vdc
fT
Transition Frequency
(VCE=10Vdc, IC=1.0mAdc)
80
---
MHz
Cob
Collector Output Capacitance
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)
---
2.0
3.5
pF
NF
Noise Figure
(VCE=6.0Vdc, IC=0.1mAdc,
f=1.0KHz, Rg=10K
)
---
10
dB
* hFE rank / O: 70-140, Y:120-240, G:200-400, L:300-700
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
Revision: A
2011/01/01
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
1 of 3
Maximum Ratings
Symbol
Rating
Unit
MMBT5343-O
MMBT5343-Y
MMBT5343-G
MMBT5343-L
SOT-23
Suggested Solder
Pad Layout
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.110
.120
2.80
3.04
B
.083
.098
2.10
2.64
C
.047
.055
1.20
1.40
D
.035
.041
.89
1.03
E
.070
.081
1.78
2.05
F
.018
.024
.45
.60
G
.0005
.0039
.013
.100
H
.035
.044
.89
1.12
J
.003
.007
.085
.180
K
.015
.020
.37
.51
.079
2.000
inches
mm
.031
.800
.035
.900
.037
.950
.037
.950
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
E
B
C
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisure Sensitivity Level 1
相关PDF资料
PDF描述
MMBT5550_NL 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5551-13 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5551-T1 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT589LT3G 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT6427S62Z 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBT5401 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORPNPSMDSOT-23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,PNP,SMD,SOT-23
MMBT5401_D87Z 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-7 功能描述:两极晶体管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-7-F 功能描述:两极晶体管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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