- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95969 > MMBT5401-B-AE3-R (UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD) 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBT5401-B-AE3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | MMBT5401-B-AE3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBT5401
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 4
Copyright 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R206-011.F
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
FEATURES
*Collector-Emitter Voltage: VCEO=-150V
*High Current Gain
Lead-free: MMBT5401L
Halogen-free: MMBT5401G
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free Plating
Halogen-Free
Package
1
2
3
Packing
MMBT5401-x-AE3-R
MMBT5401L-x-AE3-R MMBT5401G-x-AE3-R
SOT-23
E
B
C
Tape Reel
MARKING
2L.
Lead Plating
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5401L99Z | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5401S62Z | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5401LG | 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT5401LT1 | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5401LT3 | 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT5401-G | 功能描述:射频双极电源晶体管 VCEO=-150V IC=-600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MMBT5401LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT SS HV XSTR PNP 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBT5401LT3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。