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参数资料
| 型号： | MMBT5401 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | MMBT5401 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS3392APMLEADFREE | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS706ASTOA | 200 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906/L99Z | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MJ4031 | 16 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MPS5179/D26Z{OPTION18} | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT5401 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORPNPSMDSOT-23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,PNP,SMD,SOT-23 |
| MMBT5401_D87Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401-G | 功能描述:射频双极电源晶体管 VCEO=-150V IC=-600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
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