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参数资料
| 型号： | MMBT5550 |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | MMBT5550 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@TA=25OC unless otherwise noted)
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
Chatacteristic
Collector-Emitter Breakdown Voltage(1) (IC= 1.0mAdc, IB=0)
Collector-Base Breakdown Voltage (IC= 100uAdc, IE= 0)
Emitter-Base Breakdown Voltage (IE= 10uAdc, IC= 0)
Collector Cutoff Current (VCB= 100Vdc, IE= 0)
(VCB= 100Vdc, IE= 0, TA= 100
OC)
DC Current Gain (IC= 1.0mAdc, VCE= 5.0Vdc)
(IC= 50mAdc, VCE= 5.0Vdc)
(IC= 10mAdc, VCE= 5.0Vdc)
V(BR)CEO
140
-
Vdc
V(BR)CBO
160
-
Vdc
V(BR)EBO
6.0
-
Vdc
ICBO
-
100
-
100
Emitter Cutoff Current (VEB= 4.0Vdc, IC= 0)
IEBO
-
50
nAdc
hFE
60
-
60
250
20
-
nAdc
Symbol
Min
Max
Unit
Vdc
VCE(sat)
-
0.15
-
0.25
Vdc
VBE(sat)
-
1.0
-
1.2
Base-Emitter Saturation Voltage (IC= 10mAdc, IB= 1.0mAdc)
(IC= 50mAdc, IB= 5.0mAdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage (IC= 10mAdc, IB= 1.0mAdc)
(IC= 50mAdc, IB= 5.0mAdc)
Note: Pluse Test : Pluse Width = 300mS, Duty Cycle = 2.0%
uAdc
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MMBT5550NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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