- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录80608 > MMBT5551 (NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP) 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBT5551 |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | MMBT5551 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5551/S62Z | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT5551/D87Z | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MA42111-510 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MA42151-510 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4401 | 10 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT5551 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORNPN160V0.6ASOT23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23 |
| MMBT5551 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| MMBT5551_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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