- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录97606 > MMBT589LT3G (ON SEMICONDUCTOR) 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBT589LT3G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | LEAD FREE, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | MMBT589LT3G |
MMBT589LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector Emitter Breakdown Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
30
Vdc
Collector Base Breakdown Voltage
(IC = 0.1 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
50
Vdc
Emitter Base Breakdown Voltage
(IE = 0.1 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
5.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ICBO
0.1
mAdc
CollectorEmitter Cutoff Current
(VCES = 30 Vdc)
ICES
0.1
mAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 4.0 Vdc)
IEBO
0.1
mAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (Note 3) (Figure 1)
(IC = 1.0 mA, VCE = 2.0 V)
(IC = 500 mA, VCE = 2.0 V)
(IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V)
(IC = 2.0 A, VCE = 2.0 V)
hFE
100
80
40
300
Collector Emitter Saturation Voltage (Note 3) (Figure 3)
(IC = 0.5 A, IB = 0.05 A)
(IC = 1.0 A, IB = 0.1 A)
(IC = 2.0 A, IB = 0.2 A)
VCE(sat)
0.25
0.30
0.65
V
Base Emitter Saturation Voltage (Note 3) (Figure 2)
(IC = 1.0 A, IB = 0.1 A)
VBE(sat)
1.2
V
Base Emitter Turnon Voltage (Note 3)
(IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V)
VBE(on)
1.1
V
Cutoff Frequency
(IC = 100 mA, VCE = 5.0 V, f = 100 MHz)
fT
100
MHz
Output Capacitance
(f = 1.0 MHz)
Cobo
15
pF
3. Pulsed Condition: Pulse Width = 300 msec, Duty Cycle
≤ 2%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6427S62Z | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6427L99Z | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6427 | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA05-13 | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA06-13 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT5962 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5962_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6427 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MMBT6427_Q | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MMBT6427-7 | 功能描述:达林顿晶体管 40V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。