型号: | MMBT5962S62Z |
厂商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 26K |
代理商: | MMBT5962S62Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBT5962L99Z | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT5962S62Z | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT6427-13 | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT6428LT3 | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBT6429LT3 | 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBT6427 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MMBT6427_Q | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MMBT6427-7 | 功能描述:达林顿晶体管 40V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MMBT6427-7-F | 功能描述:达林顿晶体管 40V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MMBT6427LT1 | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |