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参数资料
| 型号： | MMBT918-TP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | MMBT918-TP |
MMBT918
NPN VHF/UHF
Transistors
Features
Designed for VHF/UHF Amplifier applications.
Marking Code: MMBT918=M3B
Maximum Ratings
Symbol
Rating
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
15
V
VCBO
Collector-Base Voltage
30
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
3.0
V
IC
Collector Current-Continuous
50
A
PC
Power dissipation
(1)
225
W
TJ
Junction Temperature
-55 to +150
OC
TSTG
Storage Temperature
-55 to +150
OC
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC=3.0mAdc, IB=0)
15
---
Vdc
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=1.0uAdc, IE=0)
30
---
Vdc
V(BR)EBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IE=10uAdc, IC=0)
3.0
---
Vdc
ICBO
Collector-Base Cutoff Current
(VCB=15Vdc,IE=0)
---
50
nAdc
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
(IC=3.0mAdc, VCE=1.0Vdc)
20
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)
---
0.4
Vdc
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
(IC=10mAdc,IB=1.0mAdc)
---
1.0
Vdc
SMALL SIGNALCHARACTERISTICS
fT
Current-Gain-Bandwidth Product
(VCE=10V, f=100MHz, IC=4.0mA)
600
---
MHz
Cobo
Output Capacitance
(VCB=10V, f=1.0MHz, IE=0)
---
1.7
pF
Cibo
Input Capacitance
(VEB=0.5V, f=1.0MHz, IC=0)
---
2.0
pF
NF
Noise Figue
(IC=1.0mAdc, VCE=6.0Vdc,
Rs=50 OHMS, f=60MHz)
---
6.0
dB
Note: 1. FR-5=1.0 X 0.75 X 0.062 in.
SOT-23
Suggested Solder
Pad Layout
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.110
.120
2.80
3.04
B
.083
.098
2.10
2.64
C
.047
.055
1.20
1.40
D
.035
.041
.89
1.03
E
.070
.081
1.78
2.05
F
.018
.024
.45
.60
G
.0005
.0039
.013
.100
H
.035
.044
.89
1.12
J
.003
.007
.085
.180
K
.015
.020
.37
.51
A
B
C
D
E
F
G
H
J
.079
2.000
inches
mm
.031
.800
.035
.900
.037
.950
.037
.950
M3B
C
B
E
Pin Configuration
Top View
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT918LT3 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT918WT/R7 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT918WT/R13 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT945-H-TP | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA05 | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTA 06 LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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| MMBTA 56 LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT AF GP BJT PNP 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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