参数资料
型号: MMBTA05T/R7
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 1/5页
文件大小: 1169K
代理商: MMBTA05T/R7
PAGE . 1
STAD-NOV.30.2005
MMBTA05,MMBTA06,MMBTA55,MMBTA56
NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
VOLTAGE
60~80 Volts
225 mWatts
FEATURES
NPN and PNP silicon, planar design
Collector current I
C = 100mA
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.008 gram
Marking :
5
0
B
=
5
0
A
T
B
M
M6
0
B
=
6
0
A
T
B
M
M5
5
B
=
5
A
T
B
M
M6
5
B
=
6
5
A
T
B
M
POWER
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
R
E
T
E
M
A
R
A
PL
O
B
M
Y
S5
0
A
T
B
M
M5
5
A
T
B
M
M6
0
A
T
B
M
M6
5
A
T
B
M
MS
T
I
N
U
e
g
a
t
l
o
V
r
e
t
i
m
E
-
r
o
t
c
e
l
o
CV
O
E
C
0
60
8V
e
s
a
B
-
r
o
t
c
e
l
o
Ce
g
a
t
l
o
VV
O
B
C
0
60
8V
e
g
a
t
l
o
V
e
s
a
B
-
r
e
t
i
m
EV
O
B
E
0
.
4V
s
u
o
u
n
i
t
n
o
C
-
t
n
e
r
u
C
r
o
t
c
e
l
o
C
I
C
0
5A
m
e
r
u
g
i
F
t
i
u
c
r
i
C
N
P
NP
N
PN
P
NP
N
P
PNP
NPN
1.FR-4=70 x 60 x 1mm.
2.Alumina=0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5 alumina
C
I
T
S
I
R
E
T
C
A
R
A
H
CL
O
B
M
Y
SX
A
MT
I
N
U
T
)
1
e
t
o
N
(
d
r
a
o
B
5
-
R
F
n
o
i
t
a
p
i
s
i
D
e
c
i
v
e
D
l
a
t
o
T
A
=5
2 OC
5
2
e
v
o
b
a
e
t
a
r
e
D
OC
PD
5
2
8
.
1
W
m
/
W
m
OC
t
n
e
i
b
m
A
o
t
n
o
i
t
c
n
u
J
,
e
c
n
a
t
s
i
s
e
R
l
a
m
r
e
h
T
R
θJA
6
5
O
W
/
C
T
)
2
e
t
o
N
(
e
t
a
r
t
s
b
u
S
a
n
i
m
u
l
A
n
o
i
t
a
p
i
s
i
D
e
c
i
v
e
D
l
a
t
o
T
A
=5
2 OC
5
2
e
v
o
b
a
e
t
a
r
e
D
OC
PD
0
3
4
.
2
W
m
/
W
m
OC
t
n
e
i
b
m
A
o
t
n
o
i
t
c
n
u
J
,
e
c
n
a
t
s
i
s
e
R
l
a
m
r
e
h
T
R
θJA
7
1
4
OC
e
r
u
t
a
r
e
p
m
e
T
e
g
a
r
o
t
S
d
n
a
n
o
i
t
c
n
u
J
TJ,TSTG
0
5
1
o
t
5
-
OC
相关PDF资料
PDF描述
MMBTA55 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA55T/R7 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA05T/R13 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA56T/R7 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA56T/R13 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBTA06 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06_D87Z 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06_L98Z 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06-7 功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2