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参数资料
| 型号： | MMBTA13 |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | MMBTA13 |
UTC MMBTA13
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. 1
QW-R206-006,B
DARLINGTON TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC MMBTA13 is a Darlington transistor.
FEATURES
*Collector-Emitter Voltage: VCES = 30V
*Collector Dissipation: Pc (mas) = 350 mW
MARKING
SOT-23
1
2
3
1: EMITTER 2: BASE 3: COLLECTOR
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
30
V
Collector-Emitter Voltage
VCES
30
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
10
V
Collector Dissipation
Pc
350
mW
Collector Current
Ic
500
mA
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN MAX
UNIT
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCES
Ic=100
A,IB=0
30
V
Collector Cut-Off Current
ICBO
VCB=30V,IE=0
100
nA
Emitter Cut-Off Current
IEBO
VEB=10V,Ic=0
100
nA
DC Current Gain
hFE
VCE=5V,Ic=100mA
10000
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
Ic=100mA,IB=0.1mA
1.5
V
Base-Emitter on Voltage
VBE(on)
VCE=5V,Ic=100mA
2.0
V
Current Gain Bandwidth Product
fT
VCE=5V,Ic=10mA,
f=100MHz
125
MHz
Pulse test: Pulse Width<300
s, Duty Cycle=2%
1M
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA14L-AE3-R | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| MMBTA14LT3 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA13LT3 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA14S62Z | 1200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTA13 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON SOT-23 |
| MMBTA13 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORS DARLINGTON BIPOLAR TRANSIST |
| MMBTA13_D87Z | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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| MMBTA13-7-F | 功能描述:达林顿晶体管 30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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