型号: | MMBTA42T/R |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
文件页数: | 1/8页 |
文件大小: | 49K |
代理商: | MMBTA42T/R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBTA43D87Z | 200 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBTA43 | 500 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBTA42 | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBTA55LT3 | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBTA56LT3 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBTA43LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBTA43LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBTA44 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
MMBTA44_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
MMBTA44-G | 功能描述:NPN TRANSISTOR 200MA 400V SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:新产品 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):750mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 |