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参数资料
| 型号： | MMBTA42TRL13 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | MMBTA42TRL13 |
DATA SHEET
Product specication
2000 Apr 11
DISCRETE SEMICONDUCTORS
MMBTA42
NPN high-voltage transistor
k, halfpage
M3D088
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA42M1TA | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MJ10004 | 20 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJ15016 | 15 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MPS-A64 | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA42/D26Z{OPTION18} | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTA43LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA43LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA44 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| MMBTA44_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| MMBTA44-G | 功能描述:NPN TRANSISTOR 200MA 400V SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:新产品 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:750mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 |
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