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参数资料
| 型号： | MMBTA70 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR) |
| 中文描述： | 进步党（放大器晶体管） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 434K |
| 代理商： | MMBTA70 |
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS
C
Figure 11. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
500
Figure 12. Turn–Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
2.0
5.0
10
20
30
50
1000
700
Figure 13. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 14. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 15. Input Impedance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 16. Output Admittance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
3.0
1.0
500
0.5
10
t
t
f
T
h
o
h
)
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
300
200
7.0
70
100
VCC = 3.0 V
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
td @ VBE(off) = 0.5 V
tr
10
20
30
50
70
100
200
300
500
–2.0
–1.0
VCC = –3.0 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25
°
C
ts
tf
50
70
100
200
300
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
TJ = 25
°
C
VCE = 20 V
5.0 V
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0.05
Cib
Cob
2.0
5.0
10
20
50
1.0
0.2
100
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
0.1
0.2
0.5
VCE = –10 Vdc
f = 1.0 kHz
TA = 25
°
C
2.0
5.0
10
20
50
1.0
2.0
100
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
0.1
0.2
0.5
VCE = 10 Vdc
f = 1.0 kHz
TA = 25
°
C
–3.0
–5.0 –7.0
–20
–10
–30
–50 –70 –100
TJ = 25
°
C
hfe
≈
200
@ IC = –1.0 mA
hfe
≈
200
@ IC = 1.0 mA
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