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参数资料
| 型号： | MMBTA92LT3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Si, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMBTA92LT3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTH10L99Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH10S62Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH10LT3 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH24L99Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH24LT3 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTA92LT3G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA92-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT 300mA 305V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA92TP | 制造商:MICRO COMMERICIAL COMPONE 功能描述:AMPLIFIER, 300MA 300MW PNP GENERAL PURPOSE SOT-23 |
| MMBTA92-TP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 300mA 305V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA93LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 200V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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