| 型号: | MMBTA92TRL13 |
| 厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件页数: | 1/8页 |
| 文件大小: | 49K |
| 代理商: | MMBTA92TRL13 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBF5462L99Z | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MMBF5462D87Z | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MMBF5460D87Z | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MMBT4403S62Z | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403D87Z | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTA93LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 200V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA93LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 200V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA94 | 制造商:Diotec Semiconductor 功能描述: |
| MMBTD55T1 | 制造商:Motorola 功能描述:55 MOT T/R |
| MMBTF04GWBCA-QME00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:MEMORY, SDCARD, CLASS 4, 4GB, Data Rate:4Mbps, Memory Size:4GB, Memory Type:SD C |