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参数资料
| 型号： | MMBTH10D87Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 738K |
| 代理商： | MMBTH10D87Z |
Common Emitter Y Parameters vs. Frequency
Input Admittance
100
200
500
1000
0
4
8
12
16
20
24
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-INP
U
T
A
D
M
IT
T
A
NCE
(
m
h
o
s
)
ie
V
= 10V
CE
I
= 2 mA
C
g ie
b ie
Output Admittance
100
200
500
1000
0
1
2
3
4
5
6
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-
OUT
P
UT
A
D
M
IT
T
A
NCE
(m
m
h
o
s
)
oe
V
= 10V
CE
I
= 2 mA
C
g
oe
b oe
Forward Transfer Admittance
100
200
500
1000
-60
-40
-20
0
20
40
60
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-
F
O
R
W
AR
D
AD
M
IT
T
AN
C
E
(
m
h
o
s
)
fe
V
= 10V
CE
I
= 2 mA
C
g
fe
b fe
Reverse Transfer Admittance
100
200
500
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-
RE
VE
RSE
A
D
M
IT
T
A
NCE
(
m
h
o
s
)
re
V
= 10V
CE
I
= 2 mA
C
-g
re
-b re
MPSH10
/
MMBTH10
NPN RF Transistor
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSH10D26Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH10J05Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH11D27Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH11J05Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH11J18Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTH10LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBTH10LT3G | 功能描述:两极晶体管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10M3T5G | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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