- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95976 > MMBTH10L-B-AL3-R (UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD) UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBTH10L-B-AL3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | MMBTH10L-B-AL3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBTH10
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 5
Copyright 2009 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R206-003.F
RF TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC MMBTH10 is designed for using as VHF and UHF
oscillators and VHF Mixer in a tuner of a TV receiver.
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free Plating
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
MMBTH10-x-AE3-R MMBTH10L-x-AE3-R MMBTH10G-x-AE3-R
SOT-23
E
B
C
Tape Reel
MMBTH10-x-AL3-R MMBTH10L-x-AL3-R MMBTH10G-x-AL3-R
SOT-323
E
B
C
Tape Reel
MMBTH10-x-AN3-R MMBTH10L-x-AN3-R MMBTH10G-x-AN3-R
SOT-523
E
B
C
Tape Reel
MARKING
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTH10G-C-AN3-R | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH10G-C-AE3-R | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH10G-B-AL3-R | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH10-C-AE3-R | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH10-B-AN3-R | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTH10LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBTH10LT3G | 功能描述:两极晶体管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10M3T5G | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。