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参数资料
| 型号： | MMBTH10L99Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMBTH10L99Z |
MPSH10
/
MMBTH10
NPN RF Transistor
(continued)
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
P42
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
0
20
40
60
80
100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
T
Y
P
IC
A
L
P
U
L
S
E
D
CURRE
N
T
G
A
IN
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
Vce = 5V
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
20
0.05
0.1
0.15
0.2
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-C
O
LLE
C
T
O
R
-E
M
ITTE
R
V
O
L
T
A
G
E
(V
)
C
ESA
T
25 °C
C
ββ = 10
125 °C
- 40 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P42
0.1
1
10
20
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-B
A
SE-
EM
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
BE
S
A
T
C
ββ = 10
25 °C
125 °C
- 40 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-
CO
L
E
C
T
O
R
CU
RRE
N
T
(n
A)
A
V
= 30V
CB
CBO
°
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P42
0.01
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
S
E
-E
M
IT
T
E
R
O
N
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
B
E
(ON
)
C
V
= 5V
CE
25 °C
125 °C
- 40 °C
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
TEMPERATURE ( C)
P
-PO
W
E
R
D
ISSI
P
A
T
IO
N
(m
W
)
D
o
TO-92
SOT-23
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTH10S62Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH10LT3 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH24L99Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH24LT3 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH24LT1 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTH10LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBTH10LT3G | 功能描述:两极晶体管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10M3T5G | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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