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参数资料
| 型号： | MMBTH10T/R7 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | MMBTH10T/R7 |
PAGE . 1
STAD-JUN.30.2006
MMBTH10
.083(2.10)
.020(.50)
.006(.15)
.119(3.00)
.056(1.40)
.103(2.60)
.044(1.10)
.007(.20)MIN
.066(1.70)
.006(.15)MAX
.013(.35)
.002(.05)
.110(2.80)
.047(1.20)
.086(2.20)
.035(0.90)
SOT- 23
Unit: inch (mm)
VHF/UHF NPN SILICON TRANSISTOR
VOLTAGE
25 Volts
225 mW
FEATURES
NPN Silicon
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICALDATA
Case : SOT-23, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx weight : 0.008 gram
POWER
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
Note 1. FR-5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBTH11_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH24 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MMBTH24_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH24-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 40V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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