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参数资料
| 型号： | MMBTH81S62Z |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | MMBTH81S62Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTH81D87Z | VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MPSH81/D74Z | VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MMBTH81L99Z | VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MPSH81/D81Z-J25Z | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH81/D74Z-J22Z | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTRA101 RF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP digital trans 4.7/4.7kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTRA102 RF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP digital trans 10/10kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTRA103 RF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP digital trans 22/22kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTRA104 RF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP digital trans 47/47kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTRA105 RF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP digital trans 2.2/47kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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