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参数资料
| 型号： | MMBTRC104SS |
| 厂商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | MMBTRC104SS |
MMBTRC101SS ... MMBTRC106SS
MMBTRC101SS ... MMBTRC106SS
NPN
Surface Mount Bias Resistor Transistors
SMD Transistoren mit Eingangsspannungsteiler
NPN
Version 2011-02-10
Dimensions - Mae [mm]
1 = In
2 = Gnd
3 = Out
Power dissipation – Verlustleistung
200 mW
Plastic case
Kunststoffgehuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings and characteristics (TA = 25°C)
Grenz- und Kennwerte (TA = 25°C)
Resistor combinations – Widerstandskombinationen
R1 [kΩ]
R2 [kΩ]
MMBTRC101SS
4.7
MMBTRC102SS
10
MMBTRC103SS
22
MMBTRC104SS
47
MMBTRC105SS
2.2
47
MMBTRC106SS
4.7
47
Input-voltage – Eingangs-Spannung
VI
MMBTRC101SS
-10 ... +20 V
MMBTRC102SS
-10 ... +30 V
MMBTRC103SS
-10 ... +40 V
MMBTRC104SS
-10 ... +40 V
MMBTRC105SS
-5 ... +12 V
MMBTRC106SS
-5 ... +20 V
Output voltage – Ausgangs-Spannung
VO
50 V
Output current – Ausgangs-Strom
IO
100 mA
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
200 mW 1)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrhte in 2 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
2.
5
m
ax
1.
3
±
0.
1
1.1
0.4
2.9 ±0.1
1
2
3
Type
Code
1.9
3
1
2
R1
R2
Output
Input
Ground
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTRC102SS | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBTRC103SS | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBV3401 | 35 V, SILICON, PIN DIODE |
| MMBV809LT3 | UHF BAND, 5.3 pF, 20 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MMBZ5255B | 28 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTRC105SS | 制造商:Diotec 功能描述:Bulk |
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| MMBTRC108 RF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP digital trans 22/47kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTRC109 RF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP digital trans 47/22kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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