参数资料
| 型号： | MMBZ15VAL-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 12V 40W CA UNI-DIR SOT23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12.8V |
| 电压 - 击穿： | 14.3V |
| 功率（瓦特）： | 40W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMBZ15VALDICT |
MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL
300
100
T J = 25 ° C
250
200
10
Bidirectional
Non repetitive
pulse waveform
(Rectangular)
Unidirectional
150
FR-5 Board
100
50
1.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1.0
10 100
1,000
10,000
T A , AMBIENT TEMPERATURE
Fig. 5 Steady State Power Derating Curve
PULSE WIDTH (ms)
Fig. 6 Pulse Rating Curve,
P pk (W) vs. Pulse Width (ms)
Power is defined as P pk =V C xI pp
100
T J = 25 ° C
Bidirectional
Non repetitive
pulse waveform
(Rectangular)
10
Unidirectional
1.0
0.1
0.1
1.0
10 100
1,000
10,000
PULSE WIDTH (ms)
Fig. 7 Pulse Rating Curve,
P pk (NOM) (W) vs. Pulse Width (ms)
Power is defined as P pk(NOM) =V BR(NOM) xI pp
where V BR(NOM) is the nominal reverse breakdown voltage
measured at the low test current used
for voltage classification
MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL
Document number: DS30306 Rev. 14 - 2
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January 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 70234-115 | 70234-115 METRAL HDR 4RX4M STR P |
| 70234-111 | 70234-111 METRAL HDR 4RX4M STR P |
| 171509-7 | CONN RING TONG 22-18AWG 5MM |
| MMBZ10VAL-7 | TVS 6.5V 24W CA UNI-DIR SOT23-3 |
| 70234-112LF | PF MALE SIGNAL LCP 48MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ15VAL-7-F | 功能描述:TVS二极管阵列 15V 225mW RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ15VALT1 | 功能描述:TVS二极管阵列 15V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ15VALT1G | 功能描述:TVS二极管阵列 15V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ15VALT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode |
| MMBZ15VALT3 | 功能描述:TVS二极管阵列 15V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
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