型号: | MMBZ27VAL-13 |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
封装: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 78K |
代理商: | MMBZ27VAL-13 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBZ18VAL-7 | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
MMBZ27VDA-V-GS18 | 40 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
MMBZ27VDA-VGS08 | 40 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
MMBZ27VDA | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB |
MMBZ27VDC/E9 | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ27VAL215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TVS-DIODE 360mW 40V DUAL COMMON ANNOD |
MMBZ27VAL-7 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 27V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
MMBZ27VAL-7-F | 功能描述:TVS二极管阵列 27V 225mW RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
MMBZ27VALT1 | 功能描述:TVS二极管阵列 27V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
MMBZ27VALT1G | 功能描述:TVS二极管阵列 27V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |