参数资料
型号: MMBZ27VAL,235
厂商: NXP Semiconductors
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文件大小: 0K
描述: DIODE ESD PROTECT UNIDIR SOT23
标准包装: 10,000
电压 - 反向隔离(标准值): 22V
电压 - 击穿: 25.65V
功率(瓦特): 40W
电极标记: 2 通道阵列 - 单向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
MMBZxAL series
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
Rev. 02 — 10 December 2009
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Unidirectional double ElectroStatic Discharge (ESD) protection diodes in a common
anode configuration, encapsulated in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted
Device (SMD) plastic package. The devices are designed for ESD and transient
overvoltage protection of up to two signal lines.
Table 1.
Product overview
Type number
Package
NXP
JEDEC
Configuration
MMBZ5V6AL
SOT23
TO-236AB
dual common anode
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
1.2 Features
Unidirectional ESD protection of
two lines
Bidirectional ESD protection of one line
Low diode capacitance: C d ≤ 280 pF
Rated peak pulse power: P PPM = 40 W
Ultra low leakage current: I RM = 5 nA
1.3 Applications
Computers and peripherals
Audio and video equipment
Cellular handsets and accessories
ESD protection up to 30 kV (contact
discharge)
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
IEC 61643-321
AEC-Q101 qualified
Automotive electronic control units
Portable electronics
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PDF描述
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参数描述
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