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参数资料
| 型号： | MMBZ27VCL/DG |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | TVS DIODE, TO-236AB |
| 封装： | HALOGEN FREE, PLASTIC, SMD, 3 PIN |
| 文件页数： | 13/15页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | MMBZ27VCL/DG |
MMBZXVCL_MMBZXVDL_SER_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 3 September 2008
7 of 15
NXP Semiconductors
MMBZxVCL; MMBZxVDL series
Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
VBR
breakdown voltage
IR =1mA
MMBZ12VDL
MMBZ12VDL/DG
11.4
12
12.6
V
MMBZ15VDL
MMBZ15VDL/DG
14.3
15
15.8
V
MMBZ18VCL
MMBZ18VCL/DG
17.1
18
18.9
V
MMBZ20VCL
MMBZ20VCL/DG
19
20
21
V
MMBZ27VCL
MMBZ27VCL/DG
25.65
27
28.35
V
MMBZ33VCL
MMBZ33VCL/DG
31.35
33
34.65
V
Cd
diode capacitance
f = 1 MHz; VR =0V
MMBZ12VDL
MMBZ12VDL/DG
-
110
140
pF
MMBZ15VDL
MMBZ15VDL/DG
-
85
105
pF
MMBZ18VCL
MMBZ18VCL/DG
-
7090pF
MMBZ20VCL
MMBZ20VCL/DG
-
6580pF
MMBZ27VCL
MMBZ27VCL/DG
-
4860pF
MMBZ33VCL
MMBZ33VCL/DG
-
4555pF
VCL
clamping voltage
MMBZ12VDL
MMBZ12VDL/DG
IPPM = 2.35 A
-
17
V
MMBZ15VDL
MMBZ15VDL/DG
IPPM = 1.9 A
-
21.2
V
MMBZ18VCL
MMBZ18VCL/DG
IPPM = 1.6 A
-
25
V
MMBZ20VCL
MMBZ20VCL/DG
IPPM = 1.4 A
-
28
V
MMBZ27VCL
MMBZ27VCL/DG
IPPM = 1 A
--38
V
MMBZ33VCL
MMBZ33VCL/DG
IPPM = 0.87 A
-
46
V
Table 10.
Characteristics …continued
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ18VCL/DG | TVS DIODE, TO-236AB |
| MMBZ33VAL/DG | TVS DIODE, TO-236AB |
| MMBZ12VAL/DG | TVS DIODE, TO-236AB |
| MMBZ5221BW | 2.4 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5225BW | 3 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ27VCLQ-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:DIODE - Tape and Reel |
| MMBZ27VCLQ-7-F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MMBZ27VCLQ-7-F - Tape and Reel |
| MMBZ27VCLT1 | 功能描述:TVS二极管阵列 27V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ27VCLT1G | 功能描述:TVS二极管阵列 27V 225mW Dual Common Cathode RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ27VCLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode |
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