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参数资料
| 型号： | MMBZ33VAL,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROT DBL 26V SOT-23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 26V |
| 电压 - 击穿： | 31.35V |
| 功率（瓦特）： | 40W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 934061802215 |
MMBZxAL series
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
Rev. 02 — 10 December 2009
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Unidirectional double ElectroStatic Discharge (ESD) protection diodes in a common
anode configuration, encapsulated in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted
Device (SMD) plastic package. The devices are designed for ESD and transient
overvoltage protection of up to two signal lines.
Table 1.
Product overview
Type number
Package
NXP
JEDEC
Configuration
MMBZ5V6AL
SOT23
TO-236AB
dual common anode
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
1.2 Features
Unidirectional ESD protection of
two lines
Bidirectional ESD protection of one line
Low diode capacitance: C d ≤ 280 pF
Rated peak pulse power: P PPM = 40 W
Ultra low leakage current: I RM = 5 nA
1.3 Applications
Computers and peripherals
Audio and video equipment
Cellular handsets and accessories
ESD protection up to 30 kV (contact
discharge)
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
IEC 61643-321
AEC-Q101 qualified
Automotive electronic control units
Portable electronics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5V6B | IC TVS ZENER 24W SOT-23 |
| MMBZ6V8AL-7-F | TVS 24W 4.5V CA UNIDIR SOT23-3 |
| MMQA18VT1G | TVS QUAD MI CA 24W 18V SC74-6 |
| MNR02M0APJ220 | RES ARRAY 22 OHM 2 RES 0404 |
| MNR14ERAPJ101 | RES ARRAY 100 OHM 4 RES 1206 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ33VAL-7 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 33V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| MMBZ33VAL-7-F | 功能描述:TVS二极管阵列 33V 225mW RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ33VALT1 | 功能描述:TVS二极管阵列 33V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ33VALT1G | 功能描述:TVS二极管阵列 33V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ33VALT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode |
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