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参数资料
| 型号： | MMBZ33VAL |
| 厂商： | Diodes Inc. |
| 英文描述： | 24W AND 40W PEAK POWER DUAL SURFACE MOUNT TVS |
| 中文描述： | 24W和40W峰值双表面贴装TVS(瞬间电压抑制器) |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | MMBZ33VAL |
MMBZ5V6ALT1 Series
http://onsemi.com
6
TYPICAL COMMON ANODE APPLICATIONS
A quad junction common anode design in a SOT23
package protects four separate lines using only one package.
This adds flexibility and creativity to PCB design especially
when board space is at a premium. Two simplified examples
of TVS applications are illustrated below.
MMBZ5V6ALT1
THRU
MMBZ33VALT1
KEYBOARD
TERMINAL
PRINTER
ETC.
FUNCTIONAL
DECODER
I/O
A
MMBZ5V6ALT1
THRU
MMBZ33VALT1
GND
Computer Interface Protection
B
C
D
Microprocessor Protection
I/O
RAM
ROM
CLOCK
CPU
CONTROL BUS
ADDRESS BUS
DATA BUS
GND
V
GG
V
DD
MMBZ5V6ALT1
THRU
MMBZ33VALT1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MMBZ12VALT3 | 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ33VAL,215 | 功能描述:ESD 抑制器 Diode TVS Dual/Singl 26V 40W 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
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| MMBZ33VAL215 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| MMBZ33VAL-7 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 33V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| MMBZ33VAL-7-F | 功能描述:TVS二极管阵列 33V 225mW RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
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