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参数资料
| 型号： | MMBZ4621/E9 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 3.6 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | MMBZ4621/E9 |
MMBZ4617 thru MMBZ4627
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88359
2
01-May-02
Electrical Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted)
Zener(1) Voltage
Test Current
Max. Zener Impedance Max. Reverse Leakage Max. Zener Current Max. Noise Density
VZ @ IZT
IZT
ZZT @ IZT
Current IR @ VR
IZM
ND @ IZT = 250
A
Part
Marking
(V)
(
A)
(
)(A)
(V)
(mA)
Number
Code
MMBZ4617
G17
2.4
250
1400
2.0
1.0
95
1.0
MMBZ4618
G18
2.7
250
1500
1.0
90
1.0
MMBZ4619
G19
3.0
250
1600
0.8
1.0
85
1.0
MMBZ4620
G20
3.3
250
1650
7.5
1.5
80
1.0
MMBZ4621
G21
3.6
250
1700
7.5
2.0
75
1.0
MMBZ4622
G22
3.9
250
1650
5.0
2.0
70
1.0
MMBZ4623
G23
4.3
250
1600
4.0
2.0
65
1.0
MMBZ4624
G24
4.7
250
1550
10
3.0
60
1.0
MMBZ4625
G25
5.1
250
1500
10
3.0
55
2.0
MMBZ4626
G26
5.6
250
1400
10
4.0
50
4.0
MMBZ4627
G27
6.2
250
1200
10
5.0
45
5.0
Note
:
(1) VZ tested with 5ms pulse
V
Hz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MQSMCG5632 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| MQSMCJ5634A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| MQSMCJ5652A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| MQSMCJ5656 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| MVSMCG5657A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ4621-HE3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ4621-HE3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ4621-V | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes |
| MMBZ4621-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 3.6 Volt 0.35W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ4621-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 3.6 Volt 0.35Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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