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参数资料
| 型号： | MMBZ4701E8 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 14 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | MMBZ4701E8 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ4712E8 | 28 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MQ1EZ130D5 | 130 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| MQ1N4731G | 4.3 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| MQ1N4754DG | 39 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| MQ1N4759AG | 62 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ4701-HE3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ4701-HE3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ4701-V | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes |
| MMBZ4701-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 14 Volt 0.35W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ4701-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 14 Volt 0.35 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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