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参数资料
| 型号： | MMBZ4707E9 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 20 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | MMBZ4707E9 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ4711E8 | 27 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ4713E9 | 30 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ4716E8 | 39 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5225BE8 | 3 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| MMBZ5226BE8 | 3.3 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ4707-HE3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ4707-HE3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ4707-V | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes |
| MMBZ4707-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 20 Volt 0.35W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ4707-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 20 Volt 0.35 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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