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参数资料
| 型号： | MMBZ5223B |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 2.7 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | MMBZ5223B |
PAGE . 1
June 11.2010-REV.00
MMBZ5221B~MMBZ5262B
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 51 Volts
POWER
410 mWatts
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
.120(3.04)
.079(2.00)
.070(1.80)
.004(0.10) MAX.
.006(0.15)MIN.
.008(0.20)
.003(0.08)
NOTES:
A. Mounted on 100mm2(1mm thick) copper areas.
FEATURES
Planar Die construction
410mW Power Dissipation
Zener Voltages from 2.4V~51V
Ideally Suited for Automated Assembly Processes
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity :See Diagram Below
Apporx. Weight: 0.0003 ounce, 0.0084 gram
Mounting Position : Any
Parameter
Symbol
Value
Units
Maximum Power Dissipation (Notes A) at 25OC
PD
410
mW
Operating Junction and StorageTemperature Range
TJ
-55 to +150
OC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MMBZ5237BV | 8.2 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MMBZ5223B-7 | 功能描述:稳压二极管 350MW 2.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5223B-7-F | 功能描述:稳压二极管 350MW 2.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5223BL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators |
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