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参数资料
| 型号： | MMBZ5225B-V-GS18 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 3 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | MMBZ5225B-V-GS18 |
MMBZ5225-V to MMBZ5267-V
Document Number 85772
Rev. 1.5, 23-Feb-10
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
For technical support, please contact: DiodesSSP@vishay.com
Typical Characteristics (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)
Figure 1. Forward characteristics
Figure 2. Capacitance vs. Zener Voltage
Figure 3. Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature
18114
mA
103
102
10-1
10-2
10-3
10-4
10-5
10
1
I
F
V
F
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1V
T
J = 100 °C
T
J = 25 °C
18118
1000
7
5
4
3
2
7
5
4
3
2
100
10
pF
C
tot
1
23
4 5
23
4 5
10
100 V
V
Z at IZ = 5 mA
T
J = 25 °C
V
R = 1 V
V
R = 2 V
V
R = 1 V
V
R = 2 V
18672
0
100
200 °C
250
mW
200
150
100
50
0
P
tot
T
amb
Figure 4. Pulse Thermal Resistance vs. Pulse Duration
18116
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
V = 0
P
I
tp
T
103
°C/W
7
5
4
3
2
7
5
4
3
2
7
5
4
3
2
102
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
110s
10
1
R
thA
tp
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