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参数资料
| 型号： | MMBZ5226BL |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 3.3 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 封装： | CASE 318-07, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | MMBZ5226BL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ5263AT1 | 56 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ4710 | 25 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MR2504M | 25 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MDA2504 | 25 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MDA990-5 | 30 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5226BLT1 | 功能描述:稳压二极管 3.3V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5226BLT1G | 功能描述:稳压二极管 3.3V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5226BLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode |
| MMBZ5226BLT3 | 功能描述:稳压二极管 3.3V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5226BLT3G | 功能描述:稳压二极管 3.3V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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