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参数资料
| 型号： | MMBZ5226BS-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 3.3 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | MMBZ5226BS-13 |
DS31039 Rev. 10 - 2
3 of 3
MMBZ5221BS - MMBZ5259BS
www.diodes.com
1
10
100
1
10
100
P
,
PEAK
SURGE
P
OWER
(W)
PK
PULSE WIDTH (ms)
Fig. 4 Maximum Non-repetitive Surge Power
1000
1
10
100
1000
110
100
V , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Z
Fig. 3 Zener Voltage vs. Zener Impedence
I = 1.0mA
Z
C
,
T
O
T
A
L
C
AP
ACIT
ANCE
(pF)
T
10
100
1000
10
100
1
V , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Z
Fig. 2 Total Capacitance vs Nominal Zener Voltage
T= 25 °C
j
V= 1V
R
V= 2V
R
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0
125
100
150
P,
P
O
WER
D
ISSIP
A
T
IO
N(
W
)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (
°C)
A
Fig. 1 Power Dissipation vs Ambient Temperature
75
50
25
0
10
20
30
0
I
,
ZENER
C
URRENT
(mA)
Z
V , ZENER VOLTAGE (V)
Z
Fig. 6 Zener Breakdown Characteristics
10
20
30
40
T = 25°C
j
Test current I
Z
Nominal Zener Breakdown
Voltage
10
12
18
22
27
33
36
15
39
0
10
20
30
40
50
01
2
3
4
5
6
7
89
10
I
,
ZENER
C
URRENT
(mA)
Z
V , ZENER VOLTAGE (V)
Z
Fig. 5 Zener Breakdown Characteristics
T = 25°C
j
C5V6
6V8
8V2
Test Current I
Z
20mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5250BW-13 | 20 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5258B-13 | 36 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5254BS-13 | 27 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MQ1N5345 | 8.7 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MQ1N5360 | 25 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5226BS-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 3.3V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5226BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 3.3V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5226BT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:150mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE |
| MMBZ5226BT-7 | 功能描述:稳压二极管 150MW 3.3V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5226BT-7-F | 功能描述:稳压二极管 150MW 3.3V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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