型号: | MMBZ5227BS-7 |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 3.6 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6 |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 95K |
代理商: | MMBZ5227BS-7 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBZ5234B-7 | 6.2 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MBR15H45CT/45 | 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
MBR7H50 | 7.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
MPTE-10 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
MPTE-15 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5227BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 3.6V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5227BT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:150mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE |
MMBZ5227BT-7 | 功能描述:稳压二极管 150MW 3.6V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5227BT-7-F | 功能描述:稳压二极管 150MW 3.6V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5227B-TP | 功能描述:稳压二极管 3.6V, 20mA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |