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参数资料
| 型号： | MMBZ5230 |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4.7 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | MMBZ5230 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MMBZ5236B | 7.5 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5240 | 10 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5243 | 13 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5250 | 20 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5230A | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES |
| MMBZ5230AW | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES |
| MMBZ5230B | 功能描述:稳压二极管 4.7V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5230B_D87Z | 功能描述:稳压二极管 4.7V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5230B_Q | 功能描述:稳压二极管 4.7V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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