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参数资料
| 型号： | MMBZ5230B-GT1 |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 4.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | MMBZ5230B-GT1 |
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P,
P
O
WER
DISSIP
AT
IO
N(
W
)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)
Fig. 1 Power Dissipation vs Ambient Temperature
A
°
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
221 West Industry Court ! Deer Park, NY 11729-4681 ! (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
Data Sheet 2675, Rev. -
MMBZ5221B - MMBZ5259B
350mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MMBZ5236ELT3G | 7.5 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| MMBZ5239ELT3G | 9.1 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| MMBZ5255B-G | 28 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5221B-G | 2.4 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBZ5230BLT1G | 功能描述:稳压二极管 4.7V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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