型号: | MMBZ5230B |
厂商: | Diodes Inc. |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | surface mount silicon Zener diodes |
中文描述: | 表面贴装硅稳压二极管 |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 617K |
代理商: | MMBZ5230B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBZ5231B | 1500 W Transient Voltage Suppressor 12 V MOSORB Unidir; Package: Axial Lead MOSORB 9.52x5.21mm, 25.4x0.97mm Pkg, Lead len/dia; No of Pins: 2; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 1500 |
MMBZ5232B | I<sup>2</sup>C Bus I/O Expander; Package: PDIP-16; No of Pins: 16; Container: Rail; Qty per Container: 500 |
MMBZ5235B | 0.5A, 12V, 52kHz Buck PWM Switching Regulator; Package: 8 LEAD PDIP; No of Pins: 8; Container: Rail; Qty per Container: 50 |
MMBZ5236B | surface mount silicon Zener diodes |
MMBZ5240B | 3-32V Dual Operational Amplifier, Ta = -25 to +85°C; Package: 8 LEAD PDIP; No of Pins: 8; Container: Rail; Qty per Container: 50 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5230B_D87Z | 功能描述:稳压二极管 4.7V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5230B_Q | 功能描述:稳压二极管 4.7V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5230B_S00Z | 功能描述:稳压二极管 4.7V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5230B-7 | 功能描述:稳压二极管 4.7V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5230B-7-F | 功能描述:稳压二极管 4.7V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |