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参数资料
| 型号： | MMBZ5230BS62Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 4.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | MMBZ5230BS62Z |
MMBZ5226B
-
MMBZ5257B
Series
Electrical Characteristics (continued)
TA = 25°C unless otherwise noted
MMBZ Series Zeners
(continued)
Device
Mark
VZ
(V)
ZZ
(
)
IZT
(mA)
ZZK
(
)
IZK
(mA)
VR
(V)
IR
(nA)
MMBZ 5243B
MMBZ 5244B
MMBZ 5245B
MMBZ 5246B
MMBZ 5247B
8T
8U
8V
8W
8X
13
14
15
16
17
13
15
16
17
19
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
600
0.25
9.9
10
11
12
13
500
100
MMBZ 5248B
MMBZ 5249B
MMBZ 5250B
MMBZ 5251B
MMBZ 5252B
8Y
8Z
81A
81B
81C
18
19
20
22
24
21
23
25
29
33
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
600
0.25
14
15
17
18
100
MMBZ 5253B
MMBZ 5254B
MMBZ 5255B
MMBZ 5256B
MMBZ 5257B
81D
81E
81F
81G
81H
25
27
28
30
33
35
41
44
49
58
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
600
700
0.25
19
21
23
25
100
VF Foward Voltage = 0.9 V Maximum @ IF = 10 mA for all MMBZ 5200 series
NOTE: National preferred devices in BOLD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5233BL99Z | 6 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5241BL99Z | 11 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5247BD87Z | 17 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5249BS62Z | 19 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5257BS62Z | 33 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5230BS-7 | 功能描述:稳压二极管 4.7V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5230BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 4.7V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5230BT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:150mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE |
| MMBZ5230BT-7 | 功能描述:稳压二极管 150MW 4.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5230BT-7-F | 功能描述:稳压二极管 150MW 4.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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