型号: | MMBZ5231B-V-GS18 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 5.1 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
文件页数: | 3/5页 |
文件大小: | 76K |
代理商: | MMBZ5231B-V-GS18 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBZ5247-V-GS08 | 17 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MLL5986BUR | 2.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
MLL5997DURTR | 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
MLL5999BUR | 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
MLL6006BURTR | 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5231BW | 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:SURFACE MOUNT ZENER DIODE VOLTAGE RANGE 2.7 to 39 Volts POWER RATING 200 mWatts |
MMBZ5231BW-7 | 功能描述:稳压二极管 5.1V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5231BW-7-F | 功能描述:稳压二极管 5.1V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5231BW-T1 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:200mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE |
MMBZ5231BW-TP | 功能描述:稳压二极管 8.7V, 20mA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |